Параметры

Параметры

· интегральный коэффициент усиления по току

· статическая крутизна характеристики прямой передачи

(в схеме с ОБ) (в схеме с ОЭ)

· Напряжение между К и Э в режиме насыщения

· Напряжение между Б и Э в режиме насыщения

· Время рассасывания -это интервал времени в течение которого после подачи запирающих импульсов напряжение на К при включении по схеме с ОБ возрастает до величины 0.1

Особенности транзисторов на ВЧ при малых сигналах

ДО сих пор мы рассматривали работу транзистора в статическом режиме при изменении тока и напряжения. При этом мы не рассматривали переходные процессы, которые происходят при изменении той или иной величины. Наиболее наглядной инерционность проявляется при рассмотрении движений носителей в Параметры базе, время которого зависит от ширины базы и коэффициента диффузии.

Инерционность процесса сказывается на параметрах транзистора в случае воздействия напряжения ВЧ, период которых меньше , либо при работе в режиме, когда время нарастаний и спада напряжения будет очень мало.

Сильное влияние при работе на ВЧ будет оказывать наличие емкостей p-n переходов, т.к. сопротивление p-n в этом случае с ростом частоты будет уменьшаться.


Эквивалентная схема транзистора

- дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода включенного в прямом направлении

- емкость эмиттерного перехода

-сопротивление области базы, базовому току (100Ом-1кОм)

-сопротивление коллекторного p-n перехода, включенного в обратном направлении (100кОм)

-емкость коллектора (Барьерная емкость)

- генератор Параметры тока, показывающий, что весь ток со входа будет переходить на выход

> на порядок

уменьшается быстрее, чем при повышении частоты.

Рассмотрим, какая из емкостей оказывает более сильное влияние на работу транзистора на ВЧ.

Ёмкость Cэ, имеющая величину на порядок больше Cк, шунтирует очень маленькое сопротивление эмиттерного перехода. Частота w, на которой сопротивление Cэ будет меньше Rэ должна быть очень высокой. Ск шунтирует большое сопротивление (до МОм) обратно смещённого коллекторного перехода. В связи с этим частота, на которой будет проявляться шунтирование Rк, т.е. сопротивление Cк меньше Rк, более низкая, чем в первом случае. Поэтому при анализе работы транзистора на ВЧ учитывается влияние только С к Параметры.

На НЧ практически весь ток будет протекать через нагрузку, т.к. Rк велико и XС к тоже велико.

На ВЧ XС мало и часть тока будет перераспределяться с цепи, состоящей из Rн + RБ, в цепь, состоящую из С к. Ток в нагрузке уменьшается, уменьшается коэффициент усиления по току и напряжению, а следовательно, и по мощности.


documentafpglwr.html
documentafpgtgz.html
documentafpharh.html
documentafphibp.html
documentafphplx.html
Документ Параметры